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A-Z晶體及材料加熱爐系列樣品處理設(shè)備電池制備設(shè)備分析檢測(cè)設(shè)備其他實(shí)驗(yàn)室設(shè)備技術(shù)支持/服務(wù)培訓(xùn)

加熱爐設(shè)備
晶體及材料
破碎/球磨設(shè)備
壓片設(shè)備
輥壓設(shè)備
切割設(shè)備
磨拋設(shè)備
清洗設(shè)備
電池研發(fā)設(shè)備
薄膜制備
配件
其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備

熱處理設(shè)備: 管式爐箱式爐箱管混合

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加熱方式: 電阻加熱紅外燈管加熱感應(yīng)加熱微波加熱

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加熱形式: 常規(guī)爐立式箱管混合式回轉(zhuǎn)爐

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加熱溫度: 300-1200 1250-1500 1600-2000

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加熱溫區(qū): 單溫區(qū) 雙溫區(qū) 三溫區(qū) 多溫區(qū) 感應(yīng)加熱專用

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管徑: ф?25 ф?50 ф?60 ф?80 ф?100 ф?120及以上

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帶有預(yù)熱系統(tǒng)的滑動(dòng)PECVD

型號(hào)：: OTF-1200X-50-II-4CV-PE-MSL
產(chǎn)品概述：: OTF-1200X-50-II-4CV-PE-MSL是一款雙溫區(qū)的PECVD管式爐系統(tǒng)，組成部分為500W的射頻發(fā)生器、滑動(dòng)速度可控的雙溫區(qū)滑軌爐，預(yù)熱爐（作用為使固體原料蒸發(fā)）和德國(guó)進(jìn)口的無(wú)油泵。此款PECVD對(duì)于生長(zhǎng)納米線或用CVD方法來(lái)制作各種薄膜是一款新的探索工具。

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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情

設(shè)備名稱

帶有預(yù)熱系統(tǒng)的滑動(dòng)PECVD—OTF-1200X-50-II-4CV-PE-MSL （2019.12.11—科晶實(shí)驗(yàn)室審核）

產(chǎn)品提示

1、多種配件可選提示 2、特殊設(shè)備尺寸設(shè)備 3、科晶實(shí)驗(yàn)室邀請(qǐng)?zhí)崾?/strong> 4、配件妥善保管提示

產(chǎn)品特點(diǎn)

? 與普通CVD相比較，其沉積溫度大大降低，減少了高溫對(duì)薄膜的損壞；

? 可通過(guò)爐體滑動(dòng)來(lái)達(dá)到快速升溫和快速降溫的效果；

? 爐體有兩個(gè)溫區(qū)，可在爐體內(nèi)形成溫度梯度，兩個(gè)溫區(qū)最大溫差為400℃；

? 帶有預(yù)熱爐，氣體可通過(guò)此爐預(yù)熱也可將液體蒸發(fā)氣化或固體原料升華后與氣體原料混合。

加熱爐參數(shù)

? 連續(xù)工作最高溫度為1100℃

? 兩個(gè)PID溫度控制器及50段可編程溫控系統(tǒng)，控溫精度：±1℃；兩個(gè)溫區(qū)最大溫差為：400℃

? 內(nèi)爐膛表面涂有美國(guó)進(jìn)口的1760度高溫氧化鋁涂層，可以提高設(shè)備加熱效率及反射率，同時(shí)延長(zhǎng)儀器的使用壽命。（點(diǎn)擊圖片查看詳細(xì)資料）

? 工作電源：208-240V AC單相，最大功率：4KW

更多參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系科晶銷售部

預(yù)熱爐參數(shù)

? 最高溫度：1100℃；

? PID溫度控制器及50段可編程溫控系統(tǒng)，控溫精度：±1℃；

? 氣體通過(guò)等離子射頻電源前，先通過(guò)預(yù)熱爐，也可將固體和液體原料放在預(yù)熱爐中，氣化后與氣體原料相混合

電動(dòng)滑軌

? 可將電動(dòng)滑軌安裝在爐體下端，將爐體滑動(dòng)，以達(dá)到快速升溫和快速降溫的效果

? 滑動(dòng)速度：0-70 mm/s（可調(diào)）

升降溫速率

? RS485接口和控溫軟件可安裝在爐體內(nèi)，將控溫程序和溫度曲線導(dǎo)入電腦中（儀器中不包含，客戶需額外出費(fèi)用在本公司購(gòu)買）

? 為獲得最大的升溫速率，可將爐體升溫到設(shè)定溫度，然后將爐體滑到樣品放置區(qū)

加熱速率	冷卻速率
15°C/sec (RT - 150°C)	15°C/sec (1000 - 950°C)
10°C/sec (150°C - 250°C)	10°C/sec (950°C - 900°C)
7°C/sec (250°C - 350°C)	7°C/sec (900°C - 850°C)
4°C/sec (350°C - 500°C)	4°C/sec (850°C - 750°C)
3°C/sec (350°C - 550°C)	2°C/sec (750°C - 600°C)
2°C/sec (550°C - 650°C)	1.5°C/sec (600°C - 500°C)
1°C/sec (650°C - 800°C)	1°C/sec (500°C - 400°C)
0.5°C/sec (800°C - 1000°C)	0.5°C/sec (400°C - 300°C)

射頻電源

? 科晶公司現(xiàn)有不同功率的射頻電源可供選擇，以滿足不同實(shí)驗(yàn)條件的需求。

	300W射頻電源	500W射頻電源	100W射頻電源
輸出功率	0-300W可調(diào) （穩(wěn)定性：±1%）	0-500W可調(diào) （穩(wěn)定性：±1%）	0-100W可調(diào) （穩(wěn)定性：±1%）
射頻頻率	13.56 MHz （穩(wěn)定性：±0.5%）	13.56 MHz （穩(wěn)定性：±0.5%）	13.56 MHz （穩(wěn)定性：±0.5%）
匹配	自動(dòng)匹配	自動(dòng)匹配	手動(dòng)匹配
噪音	＜50dB	＜50dB	＜50dB
冷卻方式	風(fēng)冷	風(fēng)冷	風(fēng)冷
輸入電壓	AC180-250V	AC108-250V	AC110-240V
圖片

真空系統(tǒng)

? 采用TRP-12的雙旋真空泵；

? KF25卡箍及波紋管用于連接管式爐與真空泵；

? 真空度可達(dá)10-2Torr。

供氣系統(tǒng)

? 四通道質(zhì)子流量計(jì)控制系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)氣體流量的精確控制（精確度：±0.02%）；

? 流量范圍:

一路	0-100 sccm
二路	0-200 sccm
三路	0-200 sccm
四路	0-500 sccm

? 電壓：208-240V， AC， 50/60Hz；

? 氣體進(jìn)出口配件：6mm OD的聚四氟管或不銹鋼管；

? 不銹鋼針閥用于手動(dòng)控制氣體進(jìn)出；

? PLC觸摸屏可以簡(jiǎn)便地進(jìn)行氣體流量設(shè)置。

產(chǎn)品尺寸和重量

? 爐體尺寸：550mm L ′380mm W′520mm H

? 滑軌長(zhǎng)度：1750 mm

? 凈重：220 Lbs

認(rèn)證

? 如您另外付費(fèi)，我們可以保證單臺(tái)儀器的TUV(UL61010)或CSA 認(rèn)證

承諾

? 一年質(zhì)保期，終身維護(hù)（不包括爐管、硅膠密封圈和加熱元件）

科晶應(yīng)用技術(shù)實(shí)驗(yàn)室利用PECVD在不同功率（75W、150W、300W）條件下沉積Sb2Se3薄膜，實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下：

組別	SEM結(jié)果	元素百分比
		Sb (%)	Se(%)
未經(jīng)任何處理的樣品		40.01	59.99
等離子體處理		41.04	58.96
等離子體處理 min		41.64	58.36
等離子體處理5 min		41.86	58.14

小結(jié):

（1）等離子體能改變Sb2Se3薄膜的形貌，同時(shí)改變Sb2Se3的組成；

（2）隨著射頻電源功率的增加，Sb2Se3中的Se百分含量降低。

組別	SEM結(jié)果	元素百分比
		Sb (%)	Se(%)
10W、條件下沉積Sb2Se3		40.01	59.99
75W、條件下沉積Sb2Se3		70.28	29.72
75W、3Pa且補(bǔ)充0.1g Se粉沉積Sb2Se3		43.13	56.87
75W、且補(bǔ)充2粉末（10%質(zhì)量比Sb2Se3）沉積Sb2Se3		Sn: 22.78 Sb: 25.77	51.44

小結(jié):

（1）低功率等離子體條件下可得到近原子比的Sb2Se3；

（2）高壓條件下可得到富Sb的Sb2Se3薄膜；

（3）添加Se會(huì)破壞PECVD沉積的Sb2Se3的原子比；

（4）當(dāng)SnSe2質(zhì)量比為10%時(shí)，可以得到Sb：Sn摩爾比接近于的薄膜，該方法適用于摻雜。

XRD結(jié)果

警示

? 爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02 MPa；

? 由于氣瓶?jī)?nèi)部氣壓較高，所以向爐管內(nèi)通入氣體時(shí)，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在本公司選購(gòu)減壓閥，本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa，使用時(shí)會(huì)更加精確安全；

? 石英管的長(zhǎng)時(shí)間使用溫度＜1100℃；

? 當(dāng)爐體溫度高于1000℃時(shí)，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當(dāng)，保持在常壓狀態(tài)。

應(yīng)用技術(shù)提示

? 通入爐內(nèi)氣體流量需小于200 sccm，以避免冷的大氣流對(duì)加熱石英管造成沖擊；

? 加熱時(shí)，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥。若需要關(guān)閉氣閥對(duì)樣品加熱，則需時(shí)刻關(guān)注壓力表的示數(shù)，若氣壓表示數(shù)大于0.02 MPa，需立刻打開(kāi)泄氣閥，以防意外發(fā)生（如爐管破裂、法蘭飛出等）。

防腐型真空表

（可選）

? 輸入電源24V，1A DC（配有電壓轉(zhuǎn)換器）；

? 測(cè)量范圍3.8′10-5-1125 Torr；

? 數(shù)據(jù)顯示：數(shù)顯（屏幕尺寸為20′14mm），其單位為torr

? 連接：1/8"NPT 接頭

? 產(chǎn)品尺寸 46mm×28mm×126mm ( L′W′ H)