設(shè)備名稱 | 三溫區(qū)1500℃ PECVD系統(tǒng)—OTF-1500X-III-4CV-PE-SL (2019.11.14-科晶實(shí)驗(yàn)室審核) |
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產(chǎn)品提示 | 1、多種配件可選提示 2、特殊設(shè)備尺寸設(shè)備 3、科晶實(shí)驗(yàn)室邀請(qǐng)?zhí)崾?/strong> 4、配件妥善保管提示 |
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產(chǎn)品特點(diǎn) | ? 帶有石英觀察窗口的不銹鋼真空密封法蘭,便于觀察等離子發(fā)光(圖1); ? 射頻電源可實(shí)現(xiàn)等離子增強(qiáng),從而顯著降低實(shí)驗(yàn)溫度; ? 四通道質(zhì)子流量計(jì)控制系統(tǒng)可以對(duì)氣體的輸送進(jìn)行精確的調(diào)控; ? 此款設(shè)備可安裝控制模塊,將溫度設(shè)置和溫度曲線導(dǎo)入到電腦(圖2、3); ? 此款設(shè)備可選配控溫精度為±0.1℃的歐陸儀表(圖4)。 |
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基本參數(shù) | ? 最高工作溫度1500℃(<30min);連續(xù)使用溫度1400℃; ? 三個(gè)PID溫度控制器及50段可編程溫控系統(tǒng),控溫精度:±1℃,帶有超溫和斷偶保護(hù); ? 輸入電源: 208-240V,AC,單相;最大功率:6.6 KW; ? 內(nèi)爐膛表面涂有美國(guó)進(jìn)口的1760度高溫氧化鋁涂層,可以提高設(shè)備加熱效率及反射率,同時(shí)延長(zhǎng)儀器的使用壽命。(點(diǎn)擊圖片查看詳細(xì)資料) ? 注意:此設(shè)備不標(biāo)配爐管。購(gòu)買前請(qǐng)與我們銷售確定爐管相關(guān)事宜。 更多參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系科晶銷售部 |
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射頻電源 | ? 科晶公司現(xiàn)有不同功率的射頻電源可供選擇,以滿足不同實(shí)驗(yàn)條件的需求。 |
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真空系統(tǒng) | ? 采用TRP-12的雙旋真空泵; ? KF25卡箍及波紋管用于連接管式爐與真空泵; ? 真空度可達(dá)10-2Torr。 |
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供氣系統(tǒng) | ? 四通道質(zhì)子流量計(jì)控制系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)氣體流量的精確控制(精確度:±0.02%); ? 流量范圍:
? 電壓:208-240V, AC, 50/60Hz; ? 氣體進(jìn)出口配件:6mm OD的聚四氟管或不銹鋼管; ? 不銹鋼針閥用于手動(dòng)控制氣體進(jìn)出; ? PLC觸摸屏可以簡(jiǎn)便地進(jìn)行氣體流量設(shè)置。 |
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產(chǎn)品尺寸和重量 | ? 爐體尺寸:550mm L ′380mm W′520mm H ? 爐體下端移動(dòng)柜:1800mm L′600mm W′600mm H ? 凈重:100 kg ? 運(yùn)輸重量:550 kg |
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認(rèn)證 | ? 如您另外付費(fèi),我們可以保證單臺(tái)儀器的TUV(UL61010)或CSA 認(rèn)證 |
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承諾 | ? 一年質(zhì)保期,終身維護(hù)(不包括爐管、硅膠密封圈和加熱元件) |
科晶應(yīng)用技術(shù)實(shí)驗(yàn)室利用PECVD在不同功率(75W、150W、300W)條件下沉積Sb2Se3薄膜,實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下:
組別 | SEM結(jié)果 | 元素百分比 | ||
Sb(%) | Se(%) | |||
未經(jīng)任何處理的樣品 | 40.01 | 59.99 | ||
75W等離子體處理 5 min
| 41.04 | 58.96 | ||
150W等離子體處理 5 min
| 41.64 | 58.36 | ||
300 W等離子體處理 5 min
| 41.86 | 58.14 |
小結(jié):
(1)等離子體能改變Sb2Se3薄膜的形貌,同時(shí)改變Sb2Se3的組成;
(2)隨著射頻電源功率的增加,Sb2Se3中的Se百分含量降低。
組別 | SEM結(jié)果 | 元素百分比 | ||
Sb(%) | Se(%) | |||
10W、3Pa條件下沉積Sb2Se3
| 40.01 | 59.99 | ||
75W、133Pa條件下沉積Sb2Se3
| 70.28 | 29.72 | ||
75W、3Pa且補(bǔ)充0.1g Se粉沉積Sb2Se3
| 43.13 | 56.87 | ||
75W、3Pa且補(bǔ)充0.02g SnSe2粉末(10%質(zhì)量比Sb2Se3)沉積Sb2Se3 | Sn: 22.78 Sb: 25.77 | 51.44 |
小結(jié):
(1)低功率等離子體條件下可得到近原子比的Sb2Se3;
(2)高壓條件下可得到富Sb的Sb2Se3薄膜;
(3)添加Se會(huì)破壞PECVD沉積的Sb2Se3的原子比;
(4)當(dāng)SnSe2質(zhì)量比為10%時(shí),可以得到Sb:Sn摩爾比接近于1的薄膜,該方法適用于摻雜。
XRD結(jié)果
警示 | ? 爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02 MPa; ? 由于氣瓶?jī)?nèi)部氣壓較高,所以向爐管內(nèi)通入氣體時(shí),氣瓶上必須安裝減壓閥,建議在本公司選購(gòu)減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時(shí)會(huì)更加精確安全; ? 注意爐管的長(zhǎng)期使用溫度; ? 當(dāng)爐體溫度高于1000℃時(shí),爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài),爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當(dāng),保持在常壓狀態(tài)。 |
應(yīng)用技術(shù)提示 | ? 通入爐內(nèi)氣體流量需小于200 sccm,以避免冷的大氣流對(duì)加熱石英管造成沖擊; ? 加熱時(shí),不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥。若需要關(guān)閉氣閥對(duì)樣品加熱,則需時(shí)刻關(guān)注壓力表的示數(shù),若氣壓表示數(shù)大于0.02 MPa,需立刻打開泄氣閥,以防意外發(fā)生(如爐管破裂、法蘭飛出等)。 |
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