- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
等離子磁控濺射鍍膜儀系列
- 關(guān)鍵字:
- 射頻/直流可選 1/2英寸靶頭可選 單靶 靶臺MAX500 ℃
- 型號:
- VTC-1RF/2RF/2DC
- 產(chǎn)品概述:
- 等離子磁控濺射系統(tǒng),可涂覆非金屬(主要是氧化物)薄膜。集成式組件,包括RF電源,石英真空室等。適用于在研發(fā)中濺射非導(dǎo)電或氧化物材料的薄膜。
免責(zé)聲明:
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品提示
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1、多種配件可選提示 2、特殊設(shè)備尺寸設(shè)備 3、科晶實驗室邀請?zhí)崾?/a> 4、配件妥善保管提示 |
名稱
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? 1英寸100W射頻磁控濺射鍍膜儀 | ? 2英寸300W射頻磁控濺射鍍膜儀 | ? 2英寸500W直流等離子磁控濺射鍍膜儀 |
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型號
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? VTC-1RF | ? VTC-2RF | ? VTC-2DC |
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主要參數(shù)
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? 輸入電源:220V AC 50/60Hz ? 最高使用功率:100W ? 靶頭數(shù)量:單個1英寸磁控濺射靶 ? 設(shè)備功率:800W(包括真空泵) ? 樣品臺加熱溫度:500℃ | ? 輸入電源:220V AC 50/60Hz ? 整機(jī)功率:1000W(包括真空泵) ? 射頻電源最高使用功率:300W ? 靶頭數(shù)量:單個2英寸磁控濺射靶頭 ? 樣品臺加熱溫度:500℃ | ? 輸入電源:220V AC 50Hz ? 輸出電壓:600 VDC ? 輸出功率:最大500W ? 整機(jī)功率:1200W(包括真空泵) ? 樣品臺加熱溫度:500℃ |
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濺射頭&樣品臺
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? 一個1英寸磁控濺射頭(帶有水冷夾層),采用快速接頭與真空腔體相連接 ? 儀器中安裝有直徑為50mm的不銹鋼可旋轉(zhuǎn)樣品臺,其與濺射頭之間距離可調(diào) ? 濺射頭角度可調(diào) ? 樣品臺可加熱,加熱溫度室溫-500℃ ? 安裝有一可手動操作的擋板 ? 最大可制膜的直徑為:4英寸 ? 可以單獨訂購RF連接線作為備用 ? 設(shè)備包含一臺水冷機(jī),用于靶頭冷卻
| ? 一個2英寸磁控濺射頭(帶有水冷夾層),采用快速接頭與真空腔體相連接 ? 儀器中安裝有直徑為50mm的不銹鋼可旋轉(zhuǎn)樣品臺,其與濺射頭之間距離可調(diào) ? 樣品臺可加熱,加熱溫度室溫-500℃ ? 安裝有一可手動操作的擋板
| ? 儀器中安裝有直徑為50mm的不銹鋼樣品臺,其與濺射頭之間距離可調(diào) ? 樣品臺可加熱,加熱溫度RT-500℃(RT為室溫) ? 安裝有一可手動操作的擋板 ? 最大可制膜的直徑為:2英寸(標(biāo)配2英寸,如果需要更大尺寸請與我們銷售聯(lián)系)
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圖一 圖二 圖三 圖四 圖五
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濺射電源
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設(shè)備有兩種射頻電源可選分別為: ? 300W自動匹配射頻電源 ? 100W的手動匹配射頻電源
| 該設(shè)備有一種直流電源可選: ? 直流電源DC 500W |
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靶材
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? 靶材尺寸要求:Φ50mm×(0.1-3) mm(厚度) | ? 靶材尺寸要求:Φ50mm×(0.1-5)mm(厚度)
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濺射腔體
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? 采用石英腔體,尺寸:166 mm OD×150 mm ID×250 mm H ? 密封法蘭:直徑為174 mm,采用金屬制作,密封采用O形密封圈
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真空系統(tǒng)
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? 安裝有KF25真空接口 ? 數(shù)字真空壓力表(Pa) ? 此系統(tǒng)運行可通入氣體運行(可在本公司選購各種真空泵) (1)采用機(jī)械泵<1.0E-2 Torr(參考值,詳情請點擊) (2)采用渦旋分子泵<1.0E-5 Torr(參考值,詳情請點擊)
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產(chǎn)品外形及尺寸
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? 550*550*1100(長*寬*高) |
進(jìn)氣
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? 設(shè)備上配1/4英寸進(jìn)氣口方便連接氣瓶 ? 設(shè)備前面板上裝有一氣流調(diào)節(jié)旋鈕,方便調(diào)節(jié)氣流
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薄膜測厚儀(可選)
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? 可在本公司選購薄膜測厚儀安裝在濺射儀上 |
質(zhì)保
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? 一年保修,終身技術(shù)支持。 ? 特別提示: 1.耗材部分如加熱元件,石英管,樣品坩堝等不包含在內(nèi)。
2.因使用腐蝕性氣體和酸性氣體造成的損害不在保修范圍內(nèi)。
點擊查看售后服務(wù)承諾書
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認(rèn)證
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·此產(chǎn)品已通過CE認(rèn)證 證書編號:M.2021.206.C67994 ·若客戶出認(rèn)證費用,本公司保證單臺設(shè)備通過德國TUV認(rèn)證或CAS認(rèn)證
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實驗室參考案例 |
科晶實驗室用此設(shè)備做出的部分結(jié)果,以供您參考。詳細(xì)信息,請點擊我們的實驗報告
濺射氧化鋅薄膜 基底采用:藍(lán)寶石(0001)基片(5*5*1mm3); 靶材采用:Φ1”×2.5mm高純ZnO陶瓷靶
XRD薄膜高分辨圖 | 濺射ITO薄膜 基底采用:Si(0001)基片(5*5*1mm3); 靶材采用:Φ2”×2.5mm高純ITO靶 功率:260W
EDS元素成分定性、定量分析圖 | 濺射Mg薄膜 基底采用:Si(0001)基片(5*5*1mm3); 靶材采用:Φ2”×2.5mm高純Mg靶 功率:80W
EDS元素成分定性、定量分析圖
| 濺射Sc薄膜 基底采用:Si(0001)基片(5*5*1mm3); 靶材采用:Φ2”×2.5mm高純Sc靶 功率:100W
EDS元素成分定性、定量分析圖 | 濺射Pd薄膜 基底采用:Si(0001)基片(5*5*1mm3); 靶材采用:Φ2”×2.5mm高純Pd靶 功率:100W
EDS元素成分定性、定量分析圖
| 濺射Ti薄膜 基底采用:Si(0001)基片(5*5*1mm3); 靶材采用:Φ2”×2.5mm高純Ti靶 功率:100W
EDS元素成分定性、定量分析圖 | 濺射Mo薄膜
基底采用:Si(多晶硅)基片(5*5*1mm3); 靶材采用:Φ2”×0.5mm高純Mo靶 功率:90W
XRD薄膜高分辨圖 | 濺射Pt薄膜
基底采用:Si(多晶硅)基片(5*5*1mm3); 靶材采用:Φ2”×2.5mm高純Pt靶 濺射方式:直流濺射
XRD薄膜高分辨圖 | 濺射CoFeB(鈷鐵硼)薄膜 基底采用Si(多晶硅)基片(5*5*1mm3) 靶材采用:φ2“×0.6mm高純CoFeB靶 預(yù)濺射:80w 50mtorr 10min 濺射:180w 20mtorr 30min
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更多參數(shù)請聯(lián)系科晶實驗室 實驗案例照片(點擊大圖查看詳情)
氧化鋅 |
ATO |
ITO |
碲化鉍 |
鉑 |
金 |
銀 |
銅 |
鋁 |
鎂 |
鉬 |
鉑 |
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應(yīng)用技術(shù)提示 | 1、為了保證濺射效果,非導(dǎo)電靶材必須安裝銅墊塊
2、有時為了達(dá)到理想的薄膜厚度,可能需要多次濺射鍍膜 3、為了得到較好的薄膜質(zhì)量,必須通入高純氣體(建議> 5N) 4、在濺射鍍膜前,確保濺射頭、靶材、基片和樣品臺的潔凈 5、要達(dá)到薄膜與基底良好結(jié)合,請在濺射前清潔基材表面 6、在分子泵出口安裝有一個可手動操作的擋板 超聲波清洗:(1)丙酮超聲(2)異丙醇超聲-去除油脂(3)吹氮氣干燥(4)真空烘箱除去水分。 等離子清洗(詳細(xì)參數(shù)點擊下面圖片):可表面粗糙化,可激活表面化學(xué)鍵,可祛除額外的污染物。 制造一個薄的緩沖層(5納米左右):如Gr,Ti,Mo,Ta,可以應(yīng)用于改善金屬和合金的附著力。 |
警示 | 注意:產(chǎn)品內(nèi)部安裝有高壓元件,禁止私自拆裝,帶電移動機(jī)體。
1、1英寸靶頭最大使用功率為100W 2、2英寸靶頭最大使用功率為300W 3、氣瓶上應(yīng)安裝減壓閥(設(shè)備不包括),保證氣體的輸出壓力限制在0.02兆帕以下,以安全使用。 4、濺射頭連接到高電壓。為了安全,操作者必須在關(guān)閉設(shè)備后才能進(jìn)行裝樣和更換靶頭等操作。 5、請勿在易燃易爆氣體環(huán)境下使用該設(shè)備 6、請勿在潮濕的環(huán)境下使用該設(shè)備 7、機(jī)體上禁止放置茶杯等裝有液體的器物 8、禁止儀器通電狀態(tài)下去拔插電源插頭 |
相關(guān)產(chǎn)品
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