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等離子磁控濺射鍍膜儀系列
關(guān)鍵字:
射頻/直流可選 1/2英寸靶頭可選 單靶 靶臺MAX500 ℃
型號:
VTC-1RF/2RF/2DC
產(chǎn)品概述:
等離子磁控濺射系統(tǒng),可涂覆非金屬(主要是氧化物)薄膜。集成式組件,包括RF電源,石英真空室等。適用于在研發(fā)中濺射非導(dǎo)電或氧化物材料的薄膜。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品提示

1、多種配件可選提示   2、特殊設(shè)備尺寸設(shè)備    3、科晶實驗室邀請?zhí)崾?/a>    4、配件妥善保管提示

名稱

? 1英寸100W射頻磁控濺射鍍膜儀

? 2英寸300W射頻磁控濺射鍍膜儀

? 2英寸500W直流等離子磁控濺射鍍膜儀


型號

? VTC-1RF

? VTC-2RF

? VTC-2DC


主要參數(shù)

? 輸入電源:220V AC 50/60Hz  

? 最高使用功率:100W

? 靶頭數(shù)量:單個1英寸磁控濺射靶

? 設(shè)備功率:800W(包括真空泵)

? 樣品臺加熱溫度:500℃ 

? 輸入電源:220V AC 50/60Hz

? 整機(jī)功率:1000W(包括真空泵)

? 射頻電源最高使用功率:300W

? 靶頭數(shù)量:單個2英寸磁控濺射靶頭

? 樣品臺加熱溫度:500℃

? 輸入電源:220V AC 50Hz   

? 輸出電壓:600 VDC

? 輸出功率:最大500W

? 整機(jī)功率:1200W(包括真空泵)

? 樣品臺加熱溫度:500℃


濺射頭&樣品臺

? 一個1英寸磁控濺射頭(帶有水冷夾層),采用快速接頭與真空腔體相連接

? 儀器中安裝有直徑為50mm的不銹鋼可旋轉(zhuǎn)樣品臺,其與濺射頭之間距離可調(diào)

? 濺射頭角度可調(diào)

? 樣品臺可加熱,加熱溫度室溫-500℃

? 安裝有一可手動操作的擋板

? 最大可制膜的直徑為:4英寸

? 可以單獨訂購RF連接線作為備用

? 設(shè)備包含一臺水冷機(jī),用于靶頭冷卻




? 一個2英寸磁控濺射頭(帶有水冷夾層),采用快速接頭與真空腔體相連接

? 儀器中安裝有直徑為50mm的不銹鋼可旋轉(zhuǎn)樣品臺,其與濺射頭之間距離可調(diào)

? 樣品臺可加熱,加熱溫度室溫-500℃

? 安裝有一可手動操作的擋板





 


? 儀器中安裝有直徑為50mm的不銹鋼樣品臺,其與濺射頭之間距離可調(diào)

? 樣品臺可加熱,加熱溫度RT-500℃(RT為室溫)

? 安裝有一可手動操作的擋板

? 最大可制膜的直徑為:2英寸(標(biāo)配2英寸,如果需要更大尺寸請與我們銷售聯(lián)系)




       

              1英寸濺射靶頭.jpg     樣品臺.jpg        鍍膜光.jpg

                      圖一                      圖二                          圖三 

                               水管.jpg           水冷機(jī).jpg

                                   圖四                          圖五





濺射電源

設(shè)備有兩種射頻電源可選分別為:

? 300W自動匹配射頻電源

? 100W的手動匹配射頻電源


100W射頻.jpg100W.jpg


該設(shè)備有一種直流電源可選:

? 直流電源DC 500W


靶材

? 靶材尺寸要求:Φ50mm×(0.1-3) mm(厚度)

 

靶材.jpg

? 靶材尺寸要求:Φ50mm×(0.1-5)mm(厚度)

靶材 2.jpg


濺射腔體

? 采用石英腔體,尺寸:166 mm OD×150 mm ID×250 mm H

? 密封法蘭:直徑為174 mm,采用金屬制作,密封采用O形密封圈


真空系統(tǒng)

? 安裝有KF25真空接口

? 數(shù)字真空壓力表(Pa)

? 此系統(tǒng)運行可通入氣體運行(可在本公司選購各種真空泵)

 (1)采用機(jī)械泵<1.0E-2 Torr(參考值,詳情請點擊)

 (2)采用渦旋分子泵<1.0E-5 Torr(參考值,詳情請點擊)


產(chǎn)品外形及尺寸

? 550*550*1100(長*寬*高)

進(jìn)氣

? 設(shè)備上配1/4英寸進(jìn)氣口方便連接氣瓶

? 設(shè)備前面板上裝有一氣流調(diào)節(jié)旋鈕,方便調(diào)節(jié)氣流


薄膜測厚儀(可選)

可在本公司選購薄膜測厚儀安裝在濺射儀上

 薄膜測厚儀 1.jpg  薄膜測厚儀 2.jpg  薄膜測厚儀 3.jpg

質(zhì)保

一年保修,終身技術(shù)支持。

? 特別提示:

  1.耗材部分如加熱元件,石英管,樣品坩堝等不包含在內(nèi)。

  2.因使用腐蝕性氣體和酸性氣體造成的損害不在保修范圍內(nèi)。

點擊查看售后服務(wù)承諾書


認(rèn)證

·此產(chǎn)品已通過CE認(rèn)證

  證書編號:M.2021.206.C67994

·若客戶出認(rèn)證費用,本公司保證單臺設(shè)備通過德國TUV認(rèn)證或CAS認(rèn)證

技術(shù)參數(shù)-6.jpg


實驗室參考案例


科晶實驗室用此設(shè)備做出的部分結(jié)果,以供您參考。詳細(xì)信息,請點擊我們的實驗報告


濺射氧化鋅薄膜

基底采用:藍(lán)寶石(0001)基片(5*5*1mm3);

靶材采用:Φ1”×2.5mm高純ZnO陶瓷靶

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           XRD薄膜高分辨圖

濺射ITO薄膜

基底采用:Si(0001)基片(5*5*1mm3);

靶材采用:Φ2”×2.5mm高純ITO靶

功率:260W

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          EDS元素成分定性、定量分析圖

濺射Mg薄膜

基底采用:Si(0001)基片(5*5*1mm3);

靶材采用:Φ2”×2.5mm高純Mg靶

功率:80W

Mg.jpg


        EDS元素成分定性、定量分析圖


濺射Sc薄膜

基底采用:Si(0001)基片(5*5*1mm3);

靶材采用:Φ2”×2.5mm高純Sc靶

功率:100W

Sc.jpg


         EDS元素成分定性、定量分析圖

濺射Pd薄膜

基底采用:Si(0001)基片(5*5*1mm3);

靶材采用:Φ2”×2.5mm高純Pd

功率:100W

1111.png


        EDS元素成分定性、定量分析圖


濺射Ti薄膜

基底采用:Si(0001)基片(5*5*1mm3);

靶材采用:Φ2”×2.5mm高純Ti靶

功率:100W

22222.png


      EDS元素成分定性、定量分析圖

濺射Mo薄膜

基底采用:Si(多晶硅)基片(5*5*1mm3);

靶材采用:Φ2”×0.5mm高純Mo靶

功率:90W

鉬-5.jpg

       XRD薄膜高分辨圖

濺射Pt薄膜

基底采用:Si(多晶硅)基片(5*5*1mm3);

靶材采用:Φ2”×2.5mm高純Pt靶

濺射方式:直流濺射

鉑 -薄膜濺射.jpg

         XRD薄膜高分辨圖

濺射CoFeB(鈷鐵硼)薄膜

基底采用Si(多晶硅)基片(5*5*1mm3)
靶材采用:φ2“×0.6mm高純CoFeB靶
預(yù)濺射:80w 50mtorr  10min
濺射:180w 20mtorr 30min

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更多參數(shù)請聯(lián)系科晶實驗室

                       

實驗案例照片(點擊大圖查看詳情)




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     氧化鋅


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      ATO


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ITO


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碲化鉍


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Mo 1.png Mo 2.jpg



Pt 1.jpg Pt  2.jpg





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應(yīng)用技術(shù)提示

1、為了保證濺射效果,非導(dǎo)電靶材必須安裝銅墊塊

2、有時為了達(dá)到理想的薄膜厚度,可能需要多次濺射鍍膜

3、為了得到較好的薄膜質(zhì)量,必須通入高純氣體(建議> 5N)

4、在濺射鍍膜前,確保濺射頭、靶材、基片和樣品臺的潔凈

5、要達(dá)到薄膜與基底良好結(jié)合,請在濺射前清潔基材表面

6、在分子泵出口安裝有一個可手動操作的擋板

超聲波清洗:(1)丙酮超聲(2)異丙醇超聲-去除油脂(3)吹氮氣干燥(4)真空烘箱除去水分。

等離子清洗(詳細(xì)參數(shù)點擊下面圖片):可表面粗糙化,可激活表面化學(xué)鍵,可祛除額外的污染物。

制造一個薄的緩沖層(5納米左右):如Gr,Ti,Mo,Ta,可以應(yīng)用于改善金屬和合金的附著力。

警示

注意:產(chǎn)品內(nèi)部安裝有高壓元件,禁止私自拆裝,帶電移動機(jī)體。

1、1英寸靶頭最大使用功率為100W

2、2英寸靶頭最大使用功率為300W

3、氣瓶上應(yīng)安裝減壓閥(設(shè)備不包括),保證氣體的輸出壓力限制在0.02兆帕以下,以安全使用。

4、濺射頭連接到高電壓。為了安全,操作者必須在關(guān)閉設(shè)備后才能進(jìn)行裝樣和更換靶頭等操作。

5、請勿在易燃易爆氣體環(huán)境下使用該設(shè)備

6、請勿在潮濕的環(huán)境下使用該設(shè)備

7、機(jī)體上禁止放置茶杯等裝有液體的器物

8、禁止儀器通電狀態(tài)下去拔插電源插頭


配置可選


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  2英寸高真空加熱臺


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   薄膜測厚儀


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      供氣系統(tǒng)


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渦旋分子泵<1.0E-5 Torr


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     薄膜測厚儀  


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         水冷機(jī)


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      真空干燥箱


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           冷肼


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         靶材


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     晶體襯底材料


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      超聲清洗機(jī)


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     等離子清洗機(jī)


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