設(shè)備名稱 | 1200℃雙溫區(qū)連續(xù)生長卷對卷PECVD系統(tǒng)(φ80mm x 1400 mm,溫區(qū)長440mm)—OTF-1200X-II-PE-RR (2019.12.25—科晶實驗室審核) |
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產(chǎn)品提示 | 1、多種配件可選提示 2、特殊設(shè)備尺寸設(shè)備 3、科晶實驗室邀請?zhí)崾?/span> 4、配件妥善保管提示 |
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產(chǎn)品特點 | ? 射頻電源可實現(xiàn)等離子增強從而顯著降低實驗溫度; ? 質(zhì)子流量計控制系統(tǒng)可以對氣體的輸送進行精確的調(diào)控; ? 收放卷機構(gòu)別放置于管式爐兩端真空腔體內(nèi),可保證銅箔在密閉的生長條件下進行運動,可有效的實現(xiàn)大規(guī)模制備。 |
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加熱爐參數(shù) | ? 最高溫度:1100oC(<30min);連續(xù)工作溫度:< 1000℃; ? 工作電源:AC 220V,50/60Hz,功率:3KW; ? 兩個PID溫度控制器以及50段可編程溫控系統(tǒng),控溫精度:±1℃; ? 爐膛保溫材料采用高純氧化鋁多晶纖維,并且內(nèi)爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層,可以提高加熱效率,反射率及延長儀器的使用壽命。 更多參數(shù)請聯(lián)系科晶銷售部 |
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卷對卷銅箔收放密封裝置 | ? 采用卷對卷收放卷機構(gòu)進行銅箔的移動及進出料,銅箔的移動速度為1-400mm/min可調(diào); ? 配置一卷約5 kg的銅箔,銅箔寬度:65mm,銅箔厚度0.025mm; ? 收卷機構(gòu)與管式爐之間設(shè)置冷卻裝置用于銅箔的快速冷卻; ? 可根據(jù)要求提供特定的卷繞速度控制器及密封法蘭。 |
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石英氣體噴嘴 | ? 石英氣體噴嘴可將反應(yīng)氣體與緩沖清洗氣體分開通入,有效地減少副反應(yīng)發(fā)生,實現(xiàn)高端CVD工藝,如局部控制前體濃度化學(xué)氣相沉積工藝或單晶二維材料薄膜的生長工藝等。 |
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射頻電源 | ? 科晶公司現(xiàn)有不同功率的射頻電源可供選擇,以滿足不同實驗條件的需求。
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真空系統(tǒng) | ? 采用TRP-12的雙旋真空泵; ? KF25卡箍及波紋管用于連接管式爐與真空泵; ? 真空度可達10-2Torr。 |
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供氣系統(tǒng) | ? 四通道質(zhì)子流量計控制系統(tǒng)可實現(xiàn)氣體流量的精確控制(精確度:±0.02%); ? 流量范圍:
? 電壓:208-240V, AC, 50/60Hz; ? 氣體進出口配件:6mm OD的聚四氟管或不銹鋼管; ? 不銹鋼針閥用于手動控制氣體進出; ? PLC觸摸屏可以簡便地進行氣體流量設(shè)置。 |
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產(chǎn)品尺寸和重量 | ? 整體尺寸:2400 mm L ′600mmW′1250mm H; ? 凈重:260kg; ? 運輸重量:500 kg。 |
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認證 | ? 如您另外付費,我們可以保證單臺儀器的TUV(UL61010)或CSA 認證 |
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承諾 | ? 一年質(zhì)保期,終身維護(不包括爐管、硅膠密封圈和加熱元件) |
科晶應(yīng)用技術(shù)實驗室利用PECVD在不同功率(75W、150W、300W)條件下沉積Sb2Se3薄膜,實驗結(jié)果如下:
組別 | SEM結(jié)果 | 元素百分比 | ||
Sb(%) | Se(%) | |||
未經(jīng)任何處理的樣品 | 40.01 | 59.99 | ||
75W等離子體處理5 min | 41.04 | 58.96 | ||
150 W等離子體處理5 min | 41.64 | 58.36 | ||
300 W等離子體處理5 min | 41.86 | 58.14 |
小結(jié):
(1)等離子體能改變Sb2Se3薄膜的形貌,同時改變Sb2Se3的組成;
(2)隨著射頻電源功率的增加,Sb2Se3中的Se百分含量降低。
組別 | SEM結(jié)果 | 元素百分比 | ||
Sb(%) | Se(%) | |||
10W、3Pa條件下沉積Sb2Se3 | 40.01 | 59.99 | ||
75W、133Pa條件下沉積Sb2Se3 | 70.28 | 29.72 | ||
75W、3Pa且補充0.1g Se粉沉積Sb2Se3 | 43.13 | 56.87 | ||
75W、3Pa且補充0.02g SnSe2粉末(10%質(zhì)量比Sb2Se3)沉積Sb2Se3 | Sn: 22.78 Sb: 25.77 | 51.44 |
小結(jié):
(1)低功率等離子體條件下可得到近原子比的Sb2Se3;
(2)高壓條件下可得到富Sb的Sb2Se3薄膜;
(3)添加Se會破壞PECVD沉積的Sb2Se3的原子比;
(4)當SnSe2質(zhì)量比為10%時,可以得到Sb:Sn摩爾比接近于1的薄膜,該方法適用于摻雜。
XRD結(jié)果
警示 | ? 爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02 MPa; ? 由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高,所以向爐管內(nèi)通入氣體時,氣瓶上必須安裝減壓閥,建議在本公司選購減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全; ? 石英管的長時間使用溫度<1100℃; ? 當爐體溫度高于1000℃時,爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài),爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當,保持在常壓狀態(tài); ? 射頻電源工作時,請勿觸碰。 |
應(yīng)用技術(shù)提示 | ? 通入爐內(nèi)氣體流量需小于200 sccm,以避免冷的大氣流對加熱石英管造成沖擊; ? 加熱時,不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱,則需時刻關(guān)注壓力表的示數(shù),若氣壓表示數(shù)大于0.02 MPa,需立刻打開泄氣閥,以防意外發(fā)生(如爐管破裂、法蘭飛出等); ? 射頻電源在低氣壓、低功率條件下起輝。 |
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