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1200℃雙溫區(qū)連續(xù)生長卷對卷PECVD系統(tǒng) (φ80mm x 1400 mm,溫區(qū)長440mm)
型號:
OTF-1200X-II-PE-RR
產(chǎn)品概述:
OTF-1200X-II-PE-RR是一套卷對卷石墨烯制備管式爐系統(tǒng),設(shè)備由卷對卷銅箔收放密封裝置,等離子射頻電源,1200℃雙溫區(qū)管式爐,質(zhì)子流量計控制系統(tǒng)及真空機組5部分組成。此設(shè)備可用于大面積、高質(zhì)量石墨烯及其他二維材料的規(guī)?;L。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
設(shè)備名稱

1200℃雙溫區(qū)連續(xù)生長卷對卷PECVD系統(tǒng)(φ80mm x 1400 mm,溫區(qū)長440mm)—OTF-1200X-II-PE-RR (2019.12.25—科晶實驗室審核)

產(chǎn)品提示

1、多種配件可選提示   2、特殊設(shè)備尺寸設(shè)備   3、科晶實驗室邀請?zhí)崾?/span>   4、配件妥善保管提示

產(chǎn)品特點

? 射頻電源可實現(xiàn)等離子增強從而顯著降低實驗溫度;

? 質(zhì)子流量計控制系統(tǒng)可以對氣體的輸送進行精確的調(diào)控;

? 收放卷機構(gòu)別放置于管式爐兩端真空腔體內(nèi),可保證銅箔在密閉的生長條件下進行運動,可有效的實現(xiàn)大規(guī)模制備。

加熱爐參數(shù)

? 最高溫度:1100oC(<30min);連續(xù)工作溫度:< 1000℃;

? 工作電源:AC 220V,50/60Hz,功率:3KW;

? 兩個PID溫度控制器以及50段可編程溫控系統(tǒng),控溫精度:±1℃;

? 爐膛保溫材料采用高純氧化鋁多晶纖維,并且內(nèi)爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層,可以提高加熱效率,反射率及延長儀器的使用壽命。


加熱爐圖1.jpg    溫控儀表.JPG



更多參數(shù)請聯(lián)系科晶銷售部

卷對卷銅箔收放密封裝置

? 采用卷對卷收放卷機構(gòu)進行銅箔的移動及進出料,銅箔的移動速度為1-400mm/min可調(diào);

? 配置一卷約5 kg的銅箔,銅箔寬度:65mm,銅箔厚度0.025mm;

? 收卷機構(gòu)與管式爐之間設(shè)置冷卻裝置用于銅箔的快速冷卻;

? 可根據(jù)要求提供特定的卷繞速度控制器及密封法蘭。


卷對卷.png

石英氣體噴嘴

? 石英氣體噴嘴可將反應(yīng)氣體與緩沖清洗氣體分開通入,有效地減少副反應(yīng)發(fā)生,實現(xiàn)高端CVD工藝,如局部控制前體濃度化學(xué)氣相沉積工藝或單晶二維材料薄膜的生長工藝等。


石英氣體噴嘴.png

射頻電源

? 科晶公司現(xiàn)有不同功率的射頻電源可供選擇,以滿足不同實驗條件的需求。



300W射頻電源

500W射頻電源

100W射頻電源

輸出功率

0-300W可調(diào)

(穩(wěn)定性:±1%)

0-500W可調(diào)

(穩(wěn)定性:±1%)

0-100W可調(diào)

(穩(wěn)定性:±1%)

射頻頻率

13.56 MHz

(穩(wěn)定性:±0.5%)

13.56 MHz

(穩(wěn)定性:±0.5%)

13.56 MHz

(穩(wěn)定性:±0.5%)

匹配

自動匹配

自動匹配

手動匹配

噪音

<50dB

<50dB

<50dB

冷卻方式

風(fēng)冷

風(fēng)冷

風(fēng)冷

輸入電壓

AC180-250V

AC108-250V

AC110-240V

圖片

圖片2.jpg 

圖片3.jpg 

圖片4.jpg

真空系統(tǒng)

? 采用TRP-12的雙旋真空泵;

? KF25卡箍及波紋管用于連接管式爐與真空泵;

? 真空度可達10-2Torr。


圖片5.jpg

供氣系統(tǒng)

? 四通道質(zhì)子流量計控制系統(tǒng)可實現(xiàn)氣體流量的精確控制(精確度:±0.02%);

? 流量范圍:


一路

0-100 sccm

二路

0-200 sccm

三路

0-200 sccm

四路

0-500 sccm


? 電壓:208-240V, AC, 50/60Hz;

? 氣體進出口配件:6mm OD的聚四氟管或不銹鋼管;

? 不銹鋼針閥用于手動控制氣體進出;

? PLC觸摸屏可以簡便地進行氣體流量設(shè)置。


圖片6.jpg      圖片7.jpg

產(chǎn)品尺寸和重量

? 整體尺寸:2400 mm L ′600mmW′1250mm H;

? 凈重:260kg;

? 運輸重量:500 kg。


設(shè)備尺寸.png

認證

? 如您另外付費,我們可以保證單臺儀器的TUV(UL61010)或CSA 認證


圖片1.png

承諾

? 一年質(zhì)保期,終身維護(不包括爐管、硅膠密封圈和加熱元件)

科晶應(yīng)用技術(shù)實驗室利用PECVD在不同功率(75W、150W、300W)條件下沉積Sb2Se3薄膜,實驗結(jié)果如下:


圖片6.jpg



組別

SEM結(jié)果

元素百分比



Sb(%)

Se(%)

未經(jīng)任何處理的樣品

1.jpg

2.jpg

40.01

59.99

75W等離子體處理5 min

3.jpg

4.jpg

41.04

58.96

150 W等離子體處理5 min

5.jpg

6.jpg

41.64

58.36

300 W等離子體處理5 min

7.jpg

8.jpg

41.86

58.14


小結(jié):

(1)等離子體能改變Sb2Se3薄膜的形貌,同時改變Sb2Se3的組成;

(2)隨著射頻電源功率的增加,Sb2Se3中的Se百分含量降低。




組別

SEM結(jié)果

元素百分比



Sb(%)

Se(%)

10W、3Pa條件下沉積Sb2Se3

9.jpg

10.jpg

40.01

59.99

75W、133Pa條件下沉積Sb2Se3

11.jpg

12.jpg

70.28

29.72

75W、3Pa且補充0.1g Se粉沉積Sb2Se3

13.jpg

14.jpg

43.13

56.87

75W、3Pa且補充0.02g SnSe2粉末(10%質(zhì)量比Sb2Se3)沉積Sb2Se3

15.jpg

16.jpg

Sn: 22.78 Sb: 25.77

51.44


小結(jié):

(1)低功率等離子體條件下可得到近原子比的Sb2Se3;

(2)高壓條件下可得到富Sb的Sb2Se3薄膜;

(3)添加Se會破壞PECVD沉積的Sb2Se3的原子比;

(4)當SnSe2質(zhì)量比為10%時,可以得到Sb:Sn摩爾比接近于1的薄膜,該方法適用于摻雜。



XRD結(jié)果

圖片9.jpg

警示

? 爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02 MPa;

? 由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高,所以向爐管內(nèi)通入氣體時,氣瓶上必須安裝減壓閥,建議在本公司選購減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全;

? 石英管的長時間使用溫度<1100℃;

? 當爐體溫度高于1000℃時,爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài),爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當,保持在常壓狀態(tài);

? 射頻電源工作時,請勿觸碰。

應(yīng)用技術(shù)提示

? 通入爐內(nèi)氣體流量需小于200 sccm,以避免冷的大氣流對加熱石英管造成沖擊;

? 加熱時,不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱,則需時刻關(guān)注壓力表的示數(shù),若氣壓表示數(shù)大于0.02 MPa,需立刻打開泄氣閥,以防意外發(fā)生(如爐管破裂、法蘭飛出等);

? 射頻電源在低氣壓、低功率條件下起輝。

防腐型真空表

(可選)

? 輸入電源24V,1A  DC(配有電壓轉(zhuǎn)換器);

? 測量范圍3.8′10-5-1125 Torr;

? 數(shù)據(jù)顯示:數(shù)顯(屏幕尺寸為20′14mm),其單位為torr

? 連接:1/8"NPT 接頭

? 產(chǎn)品尺寸 46mm×28mm×126mm ( L′W′ H)


配件真空表.jpg

石英管

? 石英管尺寸:F80′1400mm


配件爐管.jpg

壓力恒定控制系統(tǒng)

壓力恒定控制范圍(進氣氣氛為氬氣):

760mtorr(100Pa)—225torr(30000Pa)(按照進氣量為500sccm)

600mtorr(80Pa)—200torr(26660Pa)(按照進氣量為300sccm)

300mtorr(40Pa)—185torr(24660Pa)(按照進氣量為100sccm)

180mtorr(24Pa)—100torr(13333Pa)(按照進氣量為50sccm)

壓力恒定控制精度:180mtorr—2.5torr(±5%)

                 >2.5torr—10torr(±4%)

                 >10 torr—200torr(±2%)


壓力恒定系統(tǒng).jpg

溫儀表

(可選)

? 單回路、雙回路和三回路控制模式;

? 每個回路可實現(xiàn)雙輸入,雙保護;

? 各回路可PID、串級、比率等回路控制;

? 數(shù)碼顯示,配備7個按鍵,可用于進行各控制回路的切換和參數(shù)修改;

? 最多可存儲50個程序,每個程序最多可有3個不同的設(shè)定值(即3條不同的曲線),最多可設(shè)置500段升降溫程序;

? 通訊方式多樣,Modbus/Profibus DP/DeviceNet/EI-Bisync/RS485通訊接口,可連接PC進行遠程控制。


歐陸.jpg

真空系統(tǒng)

(可選)

? 科晶公司提供一系列低真空、高真空及進口高真空設(shè)備,以滿足在不同真空條件下的實驗需求。


低真空系統(tǒng)

國產(chǎn)高真空系統(tǒng)

進口高真空系統(tǒng)

低真空系統(tǒng).png

高真空.jpg

進口高真空.png

                 

供氣系統(tǒng)

(可選)

? 科晶公司提供各種通道浮子、質(zhì)子流量計可供選擇,以實現(xiàn)氣體流量的精確控制。


單通道浮子

單通道質(zhì)子

兩通道浮子

兩通道質(zhì)子

多通道浮子(防腐)

1通道浮子.jpg

1通道質(zhì)子.jpg

2通道浮子.JPG

2通道質(zhì)子.jpg

3通道浮子(防腐).jpg


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