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A-Z晶體及材料加熱爐系列樣品處理設(shè)備電池制備設(shè)備分析檢測(cè)設(shè)備其他實(shí)驗(yàn)室設(shè)備技術(shù)支持/服務(wù)培訓(xùn)

加熱爐設(shè)備
晶體及材料
破碎/球磨設(shè)備
壓片設(shè)備
輥壓設(shè)備
切割設(shè)備
磨拋設(shè)備
清洗設(shè)備
電池研發(fā)設(shè)備
薄膜制備
配件
其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備

熱處理設(shè)備: 管式爐箱式爐箱管混合

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加熱方式: 電阻加熱紅外燈管加熱感應(yīng)加熱微波加熱

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加熱形式: 常規(guī)爐立式箱管混合式回轉(zhuǎn)爐

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加熱溫度: 300-1200 1250-1500 1600-2000

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加熱溫區(qū): 單溫區(qū) 雙溫區(qū) 三溫區(qū) 多溫區(qū) 感應(yīng)加熱專用

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管徑: ф?25 ф?50 ф?60 ф?80 ф?100 ф?120及以上

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晶體生長(zhǎng)爐

關(guān)鍵字：: 提拉法
型號(hào)：: SKJ-50CZ
產(chǎn)品概述：: SKJ-50CZ是一款高質(zhì)量的CZ晶體生長(zhǎng)爐，可針對(duì)于材料的實(shí)驗(yàn)探索，也可以適用于晶體材料的生產(chǎn)。此款晶體生長(zhǎng)爐已經(jīng)被證實(shí)可以提拉各種氧化物單晶和金屬單晶，如藍(lán)寶石、GGG, YAG, LaAlO3 , Si 和 Ge 等，最高溫度可達(dá)2100℃，最大可長(zhǎng)出晶體尺寸為2英寸。
技術(shù)參數(shù)（圖片僅供參考，以最終實(shí)物為準(zhǔn)）

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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情

技術(shù)參數(shù)	·工作電源AC 380V，三相，25KW ·感應(yīng)射頻0.2-20KHz ·最高熔煉溫度2100℃
真空腔室	· 采用SS304不銹鋼腔體雙層水冷腔體，確保設(shè)備工作室表面溫度≤70℃， · 腔體尺寸：φ500700mmH · 腔門上有一個(gè)80300mm的方形觀察窗口，方便晶體生長(zhǎng)過(guò)程中實(shí)時(shí)觀察樣品的熔化和生長(zhǎng)情況； · 腔體上部安裝了一個(gè)量程為-0.1-0.5MPa的機(jī)械壓力表用于觀察腔室內(nèi)壓力情況 · 一個(gè)φ6.35雙卡套接頭做為出氣口，并通過(guò)一個(gè)不銹鋼針閥控制出氣的通斷 · 一個(gè)電磁閥可自動(dòng)控制進(jìn)氣 · 安裝了一個(gè)安全泄壓閥，當(dāng)腔室中壓力大于一定值時(shí)將自動(dòng)泄壓，確保腔體的安全
提拉機(jī)構(gòu)	· 直流力矩電機(jī)驅(qū)動(dòng) ·提拉速度：0.01-30mm/h · 籽晶桿旋轉(zhuǎn)速度：0.1-60 rpm ·最大提拉行程：400mm ·位移精度：0.01mm
上稱重系統(tǒng)	· 設(shè)備標(biāo)配一套上稱重系統(tǒng)，可以精確的控制晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的工藝參數(shù)。 · 秤量程：5.2 KG · 秤精度：0.01g
控制系統(tǒng)	整個(gè)電路控制系統(tǒng)在工控機(jī)上面實(shí)現(xiàn)操作控制,采用國(guó)際通用的labview軟件進(jìn)行控制，可以實(shí)現(xiàn)以下功能： · 生長(zhǎng)斜率及控制參數(shù)設(shè)定； · 控制晶升，動(dòng)態(tài)可調(diào) · 控制晶轉(zhuǎn)，可設(shè)定多段速自動(dòng)執(zhí)行 · 檢測(cè)晶體實(shí)時(shí)重量并反饋至歐陸表組成閉環(huán)控制 · 腔體真空壓力檢測(cè) · 報(bào)警監(jiān)測(cè)，晶升晶轉(zhuǎn)中頻氣壓及稱量程等上限報(bào)警 · 實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)曲線，晶體生長(zhǎng)圖例模擬 · 數(shù)據(jù)記錄，自動(dòng)存儲(chǔ)運(yùn)行數(shù)據(jù)
水冷系統(tǒng) （選配）	· 工作電流：2.1-12.9A · 制冷量：49474Btu/h · 最大流量：117L/min · 水箱容量：75L
真空系統(tǒng) （選配）	機(jī)械泵技術(shù)參數(shù)： · 型號(hào)：VRD-48 · 抽氣口接口尺寸：KF40 · 抽氣速率：（48m³/h）13.3L/S · 電機(jī)功率：1500 W · 極限壓強(qiáng)4×10^-2 Pa 分子泵技術(shù)參數(shù)： · 抽氣速率：700L/s · 極限壓強(qiáng)：6×10-6 Pa · 啟動(dòng)時(shí)間：≤9min · 額定轉(zhuǎn)速：36000rpm/min · 冷卻方式：水冷 · 抽氣口接口尺寸：CF160
坩堝系統(tǒng) （選配）	? 可選銥坩堝及相應(yīng)的保溫材料組件此單晶爐最大可生長(zhǎng)晶體尺寸為≤φ2英寸*80mm
產(chǎn)品尺寸	? 爐體：880mm(L) x 1250mm(W) x 2640mm(H) ? 控制柜：600mm(L) x 600mm(W) x 1200mm(H) ? 中頻柜：965(L) x 812mm(W) x 1219mm(H)
保質(zhì)期	? 一年保質(zhì)期，終生維護(hù)（不包含爐管，氟膠O型圈和加熱元件等損耗件）
產(chǎn)品重量	2200kg
應(yīng)用注意事項(xiàng)	? 本公司多種單晶均由此單晶爐生長(zhǎng)，如藍(lán)寶石, LaAlO3, LAST, SrLaAlO3, LiAlO3等 ? 可點(diǎn)擊下圖查看用此單晶爐生長(zhǎng)Ge單晶的實(shí)物圖片原料熔化下籽晶籽晶提拉藍(lán)寶石 Ni單晶 · 我們不建議客戶使用易燃易爆和有毒的氣體，如果客戶工藝原因確實(shí)需要使用易燃易爆和有毒氣體，請(qǐng)客戶自行做好相關(guān)防護(hù)和防爆措施。由于使用易燃易爆和有毒氣體而造成的相關(guān)問(wèn)題，本公司概不負(fù)責(zé)。