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A-Z晶體及材料加熱爐系列樣品處理設(shè)備電池制備設(shè)備分析檢測設(shè)備其他實(shí)驗(yàn)室設(shè)備技術(shù)支持/服務(wù)培訓(xùn)

加熱爐設(shè)備
晶體及材料
破碎/球磨設(shè)備
壓片設(shè)備
輥壓設(shè)備
切割設(shè)備
磨拋設(shè)備
清洗設(shè)備
電池研發(fā)設(shè)備
薄膜制備
配件
其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備

熱處理設(shè)備: 管式爐箱式爐箱管混合

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加熱方式: 電阻加熱紅外燈管加熱感應(yīng)加熱微波加熱

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加熱形式: 常規(guī)爐立式箱管混合式回轉(zhuǎn)爐

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加熱溫度: 300-1200 1250-1500 1600-2000

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加熱溫區(qū): 單溫區(qū) 雙溫區(qū) 三溫區(qū) 多溫區(qū) 感應(yīng)加熱專用

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管徑: ф?25 ф?50 ф?60 ф?80 ф?100 ф?120及以上

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1200℃等離子增強(qiáng)小型PECVD回轉(zhuǎn)爐系統(tǒng)

型號：: OTF-1200X-S-II-R-4CV-PE
產(chǎn)品概述：: OTF-1200X-S-II-R-4CV-PE是一款1200℃等離子增強(qiáng)雙溫區(qū)回轉(zhuǎn)爐系統(tǒng)。此系統(tǒng)由射頻電源、雙溫區(qū)管式爐、4通道質(zhì)子流量計控制系統(tǒng)、性能優(yōu)異的真空泵及水冷機(jī)組成。此套完整的設(shè)備系統(tǒng)特別適合用于無機(jī)復(fù)合粉末的熱處理以及粉末表面的改性處理工藝中（如：粉體摻雜（空穴、間隙原子）、表面改性、表面包覆及制備鋰離子電池陰極粉末的導(dǎo)電涂層等）。

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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情

設(shè)備名稱

? 1200℃等離子增強(qiáng)小型PECVD回轉(zhuǎn)爐系統(tǒng)—OTF-1200X-S-II-R-4CV-PE （2019.11.27—科晶實(shí)驗(yàn)室審核）

產(chǎn)品提示

1、多種配件可選提示 2、特殊設(shè)備尺寸設(shè)備 3、科晶實(shí)驗(yàn)室邀請?zhí)崾?/span> 4、配件妥善保管提示

展示

30ml粉料

產(chǎn)品特點(diǎn)

? 射頻電源可實(shí)現(xiàn)等離子增強(qiáng)從而顯著降低實(shí)驗(yàn)溫度；

? 齒輪驅(qū)動管式爐旋轉(zhuǎn)可有效地提高復(fù)合粉末熱處理的均勻性；

? 4通道質(zhì)子流量計控制系統(tǒng)可以對氣體的輸送進(jìn)行精確的調(diào)控；

? 爐體開啟式設(shè)計，以達(dá)到對樣品快速降溫，方便更換爐管。

工作電源

? 輸入電壓：AC208-220V，50/60Hz

? 總功率：<4KW

加熱爐參數(shù)

? 最高溫度：1100℃（<30min）；連續(xù)工作溫度：1000℃；

? 兩個PID溫度控制器及50段可編程溫控系統(tǒng)，控溫精度：±1℃；

? 工作電壓：110V；

? 額定功率：1.5KW；

? 回轉(zhuǎn)爐旋轉(zhuǎn)速度：0-5 rpm。

更多參數(shù)請聯(lián)系科晶銷售部

射頻電源

? 科晶公司現(xiàn)有不同功率的射頻電源可供選擇，以滿足不同實(shí)驗(yàn)條件的需求。

	300W射頻電源	500W射頻電源	100W射頻電源
輸出功率	0-300W可調(diào) （穩(wěn)定性：±1%）	0-500W可調(diào) （穩(wěn)定性：±1%）	0-100W可調(diào) （穩(wěn)定性：±1%）
射頻頻率	13.56 MHz （穩(wěn)定性：±0.5%）	13.56 MHz （穩(wěn)定性：±0.5%）	13.56 MHz （穩(wěn)定性：±0.5%）
匹配	自動匹配	自動匹配	手動匹配
噪音	＜50dB	＜50dB	＜50dB
冷卻方式	風(fēng)冷	風(fēng)冷	風(fēng)冷
輸入電壓	AC180-250V	AC108-250V	AC110-240V
圖片

真空系統(tǒng)

? 采用TRP-12的雙旋真空泵；

? KF25卡箍及波紋管用于連接管式爐與真空泵；

? 真空度可達(dá)10-2Torr。

供氣系統(tǒng)

? 四通道質(zhì)子流量計控制系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)氣體流量的精確控制（精確度：±0.02%）；

? 流量范圍:

一路	0-100 sccm
二路	0-200 sccm
三路	0-200 sccm
四路	0-500 sccm

? 電壓：208-240V， AC， 50/60Hz；

? 氣體進(jìn)出口配件：6mm OD的聚四氟管或不銹鋼管；

? 不銹鋼針閥用于手動控制氣體進(jìn)出；

? PLC觸摸屏可以簡便地進(jìn)行氣體流量設(shè)置。

循環(huán)水冷機(jī)

? 標(biāo)配KJ-5000循環(huán)水冷機(jī)，水流速率：16L/min

產(chǎn)品尺寸和重量

? 尺寸：1400mm L′600mm W′1240mm H

? 凈重：90 kg

認(rèn)證

? 如您另外付費(fèi)，我們可以保證單臺儀器的TUV(UL61010)或CSA 認(rèn)證

承諾

? 一年質(zhì)保期，終身維護(hù)（不包括爐管、硅膠密封圈和加熱元件）

儀表操作視頻

科晶應(yīng)用技術(shù)實(shí)驗(yàn)室利用PECVD沉積Sb2Se3薄膜，實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下：

組別	SEM結(jié)果	元素百分比
組別	SEM結(jié)果	*Sb (%)*	*Se(%)*
未經(jīng)任何處理的樣品		40.01	59.99
75W等離子體處理5 min		41.04	58.96
150 W等離子體處理5 min		41.64	58.36
300 W等離子體處理5 min		41.86	58.14

小結(jié):

（1）等離子體能改變Sb2Se3薄膜的形貌，同時改變Sb2Se3的組成；

（2）隨著射頻電源功率的增加，Sb2Se3中的Se百分含量降低。

組別	SEM結(jié)果	元素百分比
組別	SEM結(jié)果	*Sb (%)*	*Se(%)*
10W、3Pa條件下沉積Sb₂Se₃		40.01	59.99
75W、133Pa條件下沉積Sb₂Se₃		70.28	29.72
75W、3Pa且補(bǔ)充0.1g Se粉沉積Sb₂Se₃		43.13	56.87
75W、3Pa且補(bǔ)充0.02g SnSe₂粉末（10%質(zhì)量比Sb₂Se₃）沉積Sb₂Se₃		Sn: 22.78 Sb: 25.77	51.44