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砷化鎵(GaAs)晶體基片
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
技術(shù)參數(shù)
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單晶: | 砷化鎵(GaAs) | 摻雜: | None;Si;Cr;Te;Zn | 導(dǎo)電類型: | Si;N;Si;N;P | 載流子濃度cm-3: | /> 5x1017 /~2x1018 >5x1018 | 位錯(cuò)密度cm-2: | <5x105 | 生長(zhǎng)方法及最大尺寸: | LEC & HB ?3" |
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常規(guī)尺寸
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常規(guī)晶向:<100>、 常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm;dia2″x0.5mm; 拋光情況:?jiǎn)螔伝螂p拋; 表面粗糙度Ra:<15A; 注:可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。 |
備注
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1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋 |
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