- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
Ga:ZnO晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- II?-?VI族晶體有可能在不久的將來用于突出拍攝上。他們的直接帶隙的性質(zhì)和大范圍的透明度以及一個帶隙,為有趣的設(shè)備提供了廣泛選擇的可能性。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu): | 六方 a=3.252A , c=5.313A | 生長方法: | Melt | 硬度: | 4 mohscale | 密度: | ~5.0g/cm3 | 熔點: | 1975oC | 帶隙: | 3.37eV | 比熱容: | 0.125cal/gm | 傳導(dǎo)性: | N type | 電阻率: | 0.04ohm-cm +/- factor of 2 , N type | 導(dǎo)熱系數(shù): | 0.006cal/cm/ oK | 熱膨脹系數(shù): | 2.90x10-6/oK | 位錯密度: | <4x104/cm2 | 表面粗糙度: | <5A | 厚度: | 0.35mm; 0.50mm and 1.0mm |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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Ga:ZnO <0001> N+ type，鎵摻雜，10x10x0.5mm、鋅面拋光； Ga:ZnO <0001> N+ type，鎵摻雜，5x5x0.5mm、鋅面拋光 ； 注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室100級超凈袋 |
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