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非極性氮化鎵(GaN)晶體基片
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技術參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 技術參數(shù)
|
晶體定位面： | A plane <11-20>+/-1;M plane <1-100>+/-1°. | 傳導類型： | N型；半絕緣型 | 電阻率： | R<0.5 Ω.cm；R>106Ω.cm | 表面粗糙度： | <0.5nm | 位錯密度： | <5x106Ω.cm | 可用表面積： | >90% | TTV: | ≤15um； |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)尺寸：10x5x0.5mm； 厚度公差：+/-0.05mm； 注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。 |
| 標準包裝
|
1000級超凈室100級超凈袋 |
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