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Si+Si3N4薄膜
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進(jìn)口料Silicon?Nitride?Film?(PE-CVD)?on?Front?Polished?Side?of?Silicom?Wafer?P?type?doped?B
產(chǎn)品概述:
免責(zé)聲明: 本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容(包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等)僅用于宣傳用途,僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會(huì)造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差,請(qǐng)勿復(fù)制或者截圖。如果您對(duì)參數(shù)有異議,或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù),請(qǐng)與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾,請(qǐng)勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同,科晶公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息,恕不另行通知,請(qǐng)您諒解。 如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔,說明書(在線閱覽),裝箱單,與售后安裝條件等文件,請(qǐng)點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對(duì)大陸地區(qū)客戶,購買前請(qǐng)與工作人員溝通,以免給您帶來不便。
技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱

Si+Si3N4薄膜(進(jìn)口料Silicon?Nitride?Film?(PE-CVD)?on?Front?Polished?Side?of?Silicom?Wafer?P?type?doped?B)


常規(guī)尺寸

dia 4" +/- 0.5 mm x  0.525 +/- 0.025 mm


標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋真空包裝、單片盒或插盒


技術(shù)參數(shù)

Si參數(shù):

 

晶向:


摻雜類型:P型摻B;


電阻率:<0.02 ohm-cm;


拋光:單拋;

Si3N4參數(shù):

 

生長方法:low stress PE-CVD method


薄膜厚度:100nm  +/- 8%


鍍膜情況:Si3N4 covers front polished side of Silicon wafer ONLY


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