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Si+Si3N4薄膜
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進(jìn)口料Silicon?Nitride?Film?(LPCVD)?on?Silicom??Wafer?N?type?doped?P
產(chǎn)品概述:
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱

Si+Si3N4薄膜(進(jìn)口料Silicon?Nitride?Film?(LPCVD)?on?Silicom??Wafer?N?type?doped?P)


常規(guī)尺寸

dia 4" ±0.5 mm x  0.525 ±0.025 mm


標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋真空包裝、單片盒或插盒 


技術(shù)參數(shù)

Si參數(shù):

 

晶向:


摻雜類型:N型摻P;


電阻率:1-20 ohm-cm;


拋光:?jiǎn)螔仯?/span>

Si3N4參數(shù):

 

生長(zhǎng)方法:low stress LPCVD method


薄膜厚度:1.3um?±5%;300?nm??+/-?10%


鍍膜情況:Si3N4 covers both side of Silicon wafer


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