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GaN薄膜
- 產(chǎn)品概述：
- 氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。在HVPE過程中，鹽酸反應(yīng)生成GaCl，而這又與氨反應(yīng)生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化鎵單晶基板。
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本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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| 產(chǎn)品名稱
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氮化鎵(GaN)薄膜 |
| 產(chǎn)品簡介
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氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。在HVPE過程中，鹽酸反應(yīng)生成GaCl，而這又與氨反應(yīng)生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化鎵單晶基板。 |
| 技術(shù)參數(shù)
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常規(guī)尺寸 | dia50.8±1mm x 4um,10-25um. dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型 注：可按客戶需求定制特殊堵塞方向和尺寸。 | 產(chǎn)品定位 | C軸<0001>±1° | 傳導類型 | N型；半絕緣型；P型 | 電阻率 | R<0.05 Ohm-cm；半絕緣型R>106 Ohm-cm | 位錯密度 | <1x108 Cm-2 | 表面處理(鎵面) | AS Grown | 有效值 | <1nm | 可用表面積 | >90% |
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| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
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