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Si-Ge晶體
產(chǎn)品概述:
隨著微電子、光電器件以及放射性同位素?zé)犭姲l(fā)電機(jī)的不斷發(fā)展,人們重新對(duì)SiGe單晶材料產(chǎn)生了濃厚的興趣。當(dāng)SiGe外延層超過臨界厚度時(shí),采用高質(zhì)量的SiGe單晶替代Si單晶作為外延襯底材料,可以減少Si襯底與Si1-xGex合金層之間過渡層的數(shù)目,避免或減少失配位錯(cuò),改善量子阱器件的性能。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱

Si-Ge 晶體基片


技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):            

立方晶系                        

晶格常數(shù):

a=0.5431+0.02x+0.027x2?

電阻:

7-8 ohm-cm

導(dǎo)電類型:

P型不摻雜

生長方法:

直拉(CZ)法生長


產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:                 

<100>

常規(guī)尺寸:

常規(guī)尺寸:dia4″x0.5mm;

拋光情況:

單拋、雙拋

拋光面粗糙度:

< 5A


晶體缺陷

人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷



標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝


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附件

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