- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
NdGaO3晶體
- 產(chǎn)品概述：
- NdGaO3是近十年中發(fā)展起來的新型基片，主要用作高溫超導(dǎo)體（如YBCO）及磁性材料的外延薄膜生長用基片。由于NdGaO3與YBCO的晶格失配很小（~0.27%），且無結(jié)構(gòu)相變，在NdGaO3基片上可外延生長質(zhì)量良好的薄膜。
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會(huì)造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
|
鎵酸釹(NdGaO3)晶體基片
|
| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | 正交晶系 | 晶格常數(shù)： | a=5.43 ? b=5.50 ? c=7.71? | 密度： | 7.57 g/cm3 | 熔點(diǎn)： | 1600 °C | 硬度： | 5.9 Mohs | 介電常數(shù)： | ＜20在300k | 生長方法： | 提拉法 |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
常規(guī)晶向： | <100>、<001>、<110>、<010> | 公差： | ±0.5° | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋 、雙拋 | 粗糙度： | <5A |
注：可根據(jù)客戶需求提供特殊的尺寸和方向；
|
| 晶體缺陷
|
人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷
|
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
|
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會(huì)造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
皖公網(wǎng)安備 34012302000974號(hào)
查看誠信檔案
