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MgO:LiNbO3晶片
- 產(chǎn)品概述:
- 純同成份鈮酸鋰晶體最大的缺點是抗激光損傷闕值很低,這限制了它的應用領域。當摻入5mol%MgO后,所生長MgO:LN晶體的抗激光損傷闕值提高1-2個數(shù)量級,極化反轉電壓從21KV/mm降至6KV/mm,紫外吸收邊紫移至310mm,OH-吸收峰紅移至3535cm-1,這些變化極大的拓展了LN晶體的應用范圍。
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技術參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱
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光學級摻鎂鈮酸鋰(MgO:LiNbO3)晶片
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產(chǎn)品規(guī)格
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晶體結構: | 三方晶系 | 晶格常數(shù): | a=5.147? c=13.856? | 密度: | 4.7g/cm3 | 熔點: | 1253℃ | 生長方法: | 提拉法 |
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產(chǎn)品規(guī)格:
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常規(guī)晶向: | Z cut | 晶向公差: | ±0.5° | 常規(guī)尺寸: | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm5x5x0.5mm | 拋光情況: | 單拋、雙拋、細磨 |
注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。
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晶體缺陷:
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人工生長單晶有可能存在晶體內部缺陷。
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標準包裝:
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1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝
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