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GaP晶體
- 產(chǎn)品概述：
- 用作生產(chǎn)紅、綠色LED的主要襯底材料，也是生產(chǎn)LED用量最大的襯底材料。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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磷化鎵(GaP)晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 立方晶系 | 晶格常數(shù)： | a=5.4505 ? | 密度： | 4.13 g/cm3 | 熔點(diǎn)： | 1480 ℃ | 熱膨脹系數(shù)： | 5.3×10-6/℃ | 熱傳導(dǎo)率： | 2~8 x1017/cm3 4~ 6 x1016/cm3 | 摻雜類型： | N型摻S ； N型不摻雜 | 電阻率W.cm | 0.03 ~0.3 | 生長(zhǎng)方法： | 提拉法 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | <111>，<110>，<100> | 公差： | ±0.5o | 常規(guī)尺寸： | dia2"x0.35mm ；10x10x0.35mm | 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
| 晶體缺陷
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人工生長(zhǎng)單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
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