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GaN晶體
- 產(chǎn)品概述：
- 氮化鎵是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導(dǎo)體,由于具有化學(xué)穩(wěn)定性好、熱傳導(dǎo)性能優(yōu)良、擊穿電壓高、大功率，近年在光電子領(lǐng)域和高溫高頻電子應(yīng)用備受關(guān)注，是目前最優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
|
氮化鎵(GaN)晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | 六方晶系 | | 晶格常數(shù) | a= 3.186 ? , c = 5.186 ? | 傳導(dǎo)類型： | N型摻Si；N型不摻雜 | 可用表面積： | >90% | 位錯(cuò)密度： | （5-9）x105Ω.cm | 電阻率： | R<0.05 Ω.cm；R<0.1Ω.cm | | 介電常數(shù)： | 8.9 | TTV： | ≤15um | | 密度 | 6.15（g/cm3） | 生長(zhǎng)方法： | HVPE（氫化物氣相外延法） |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
常規(guī)晶向： | (0001) | 常規(guī)尺寸： |
10.5x10x0.35mm、5x5x0.35mm | 表面粗糙度： | <5? | 注：尺寸可按照客戶要求定做。 |
|
| 晶體缺陷
|
人工生長(zhǎng)單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋或單片盒裝 |
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