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GaAs晶體
- 產(chǎn)品概述：
- 砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)。砷化鎵是半導(dǎo)體材料中，兼具多方面優(yōu)點(diǎn)的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小，導(dǎo)熱性差，不適宜制作大功率器件。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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砷化鎵(GaAs)晶體基片
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| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 立方晶系 | 晶格常數(shù)： | a=5.6534? | 導(dǎo)電類型： | N型摻Si；N型摻Te；不摻雜；P型摻Ga | 熔點(diǎn)： | 1237°C | 禁帶寬度: | 1.4電子伏 | | 介電常數(shù)： | 13.1 | 位錯(cuò)密度： | <5x103cm^2 等 | 遷移率： | (3500-3600)cm2/vs 等 | 生長(zhǎng)方法: | VGF生產(chǎn)方法 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | <100>、<110>、<111> | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.35mm；dia2″x0.35mm； | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 表面粗糙度： | <15A | 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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| 晶體缺陷
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人工生長(zhǎng)單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋 |
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