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氮化鋁(AlN)陶瓷基片
- 產(chǎn)品概述:
- 熱導率高,電性能好,熱脹系數(shù)與Si片接近,無毒性,是取代BeO陶瓷的理想材料。主要應用于高密度混合電路、微波功率器件、半導體功率器件、電力電子器件、光電子部件、半導體制冷等產(chǎn)品中作高性能基片材料和封裝材料。
免責聲明:
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容(包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等)僅用于宣傳用途,僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差,請勿復制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議,或者想了解產(chǎn)品詳細信息及更多參數(shù),請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾,請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同,科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息,恕不另行通知,請您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔,說明書(在線閱覽),裝箱單,與售后安裝條件等文件,請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶,購買前請與工作人員溝通,以免給您帶來不便。
技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱
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氮化鋁(AlN)陶瓷基片
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產(chǎn)品簡介
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熱導率高,電性能好,熱脹系數(shù)與Si片接近,無毒性,是取代BeO陶瓷的理想材料。主要應用于高密度混合電路、微波功率器件、半導體功率器件、電力電子器件、光電子部件、半導體制冷等產(chǎn)品中作高性能基片材料和封裝材料。
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技術(shù)參數(shù)
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型號 | SD5111 | SD5113 | SD5115 | SD5116 | 密度: | >3.2 | >3.25 | >3.25 | >3.26 | 熱導率: | 80~100 | 100~130 | 140~170 | >170 | 熱膨脹系數(shù): | <4.5 | <4.3 | <4.3 | <4.2 | 耐電強度: | >15 | >15 | >15 | >15 | 介電系數(shù) | 9.0 | 8.7 | 8.7 | 8.7 | tgδ | 3~10 | 3~7 | 3~7 | 3~7 | 體電阻率 | >1013 | >1014 | >1014 | >1014 | 抗折強度 | >20 | >25 | >28 | >30 |
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產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)尺寸:2"x2"x 0.5mm,單拋或雙拋; 10x10x0.5mm,單拋或雙拋; 純度:>99%; 表面粗糙度Ra< 100A; 注:可按客戶需求定制特殊的方向和尺寸。
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標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋包裝
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