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氮化鋁(AlN)陶瓷基片
產(chǎn)品概述:
熱導率高,電性能好,熱脹系數(shù)與Si片接近,無毒性,是取代BeO陶瓷的理想材料。主要應用于高密度混合電路、微波功率器件、半導體功率器件、電力電子器件、光電子部件、半導體制冷等產(chǎn)品中作高性能基片材料和封裝材料。
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產(chǎn)品名稱

氮化鋁(AlN)陶瓷基片


產(chǎn)品簡介

熱導率高,電性能好,熱脹系數(shù)與Si片接近,無毒性,是取代BeO陶瓷的理想材料。主要應用于高密度混合電路、微波功率器件、半導體功率器件、電力電子器件、光電子部件、半導體制冷等產(chǎn)品中作高性能基片材料和封裝材料。


技術(shù)參數(shù)

 型號

 SD5111

 SD5113

 SD5115

 SD5116

 密度:

 >3.2

 >3.25

 >3.25

 >3.26

 熱導率:

 80~100

100~130

140~170

 >170

 熱膨脹系數(shù):

 <4.5

 <4.3

 <4.3

 <4.2

 耐電強度:

 >15

 >15

 >15

 >15

 介電系數(shù)

 9.0

 8.7

 8.7

 8.7

 tgδ

3~10

3~7

3~7

 3~7

 體電阻率

>1013

>1014

>1014

>1014

抗折強度

 >20

>25 

 >28

 >30

 


產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)尺寸:2"x2"x 0.5mm,單拋或雙拋;

        10x10x0.5mm,單拋或雙拋;

純度:>99%;

表面粗糙度Ra< 100A;

注:可按客戶需求定制特殊的方向和尺寸


標準包裝

1000級超凈室100級超凈袋包裝


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