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| GaAs InGaP薄膜
|
InGaP:Si/GaAs;Si EPI Ready wafer ,P/E 3" dia.x0.625mm ,1sp
3" InGaP/GaAs Epi wafers
Substrate: Gallium Arsenide wafers, P/E 3"Ø×625±25µm,
n-type GaAs:Si [100]±0.5°,
One-side-polished, back-side matte etched, US Flat (one).
Epi: 1µm n-type InGaP:Si[100]±0.5°, lattice-match. |
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