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Si+GaN薄膜
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
|
Si片外延GaN膜?dia4" |
| 產(chǎn)品簡介
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| 技術(shù)參數(shù)
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GaN厚度： | 0.5μm ± 0.1 μm | Ga面參數(shù)(Ga-face)： | <1nm RMS, As-grown, Epi-ready | 背面參數(shù)： | as received | GaN晶向： | C-plane (00.1) | 極性（Polarity）： | Ga-face | 導(dǎo)電類型： | Undoped (N-) | 宏缺陷密度： | <5/cm^2 | Si基底參數(shù)： | Si [111], N?/P?，R:?1-5?ohm-cm； 或?P/B?R<0.005?ohm.cm； |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
dia4"x 0.525mm，單拋 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋真空包裝和單片盒裝 |
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