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Si+GaN薄膜
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- dia2"進口料
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
|
Si片外延GaN膜?dia2" |
| 產(chǎn)品簡介
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| 技術(shù)參數(shù)
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GaN厚度： | 0.5μm ± 0.1 μm | Ga面參數(shù)(Ga-face)： | <1nm RMS, As-grown, Epi-ready | 背面參數(shù)： | as received | GaN晶向： | C-plane (00.1) | 極性（Polarity）： | Ga-face | 導(dǎo)電類型： | Undoped (N-) | 宏缺陷密度： | <5/cm^2 | Si基底參數(shù)： | Silicon [111], N /P ，res: 0-10 ohm-cm |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
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dia2”x0.5mm單拋或雙拋； 10x10x0.5mm 單拋或雙拋;
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室100級超凈袋真空包裝和單片盒裝 |
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