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AL2O3+GaN薄膜
關(guān)鍵字:
進(jìn)口GaN Epitaxial Template( N-type Fe-doped) on Sapphire
產(chǎn)品概述:
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱

Al2O3鍍GaN薄膜(進(jìn)口GaN?(0001)Epitaxial?Template(N-type?Fe-doped)on?Sapphire)

技術(shù)參數(shù)

GaN類型:

型摻Fe,

GaN 尺寸:

dia 2 inch + 5um±1um

GaN 電阻率:

6-8 Ohm-cm

GaN濃度:

N/A

極性Polarity:

Ga-face

宏觀缺陷密度:

<10 cm^-2

Al2O3參數(shù):

A plane off cut 0.2°degree,dia2,單拋


產(chǎn)品尺寸

dia2 inch

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋真空包裝或單片盒

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附件

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