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Al2O3+GaN薄膜
- 關(guān)鍵字：
- 國外進口
- 產(chǎn)品概述：
- MOCVD方法制作AL2O3為襯底的GaN外延薄膜。國外進口材料，品質(zhì)優(yōu)質(zhì)，歡迎選購
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本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
|
AL2O3+GaN?薄膜（進口料） |
| 產(chǎn)品簡介
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MOCVD方法制作AL2O3為襯底的GaN外延薄膜。國外進口材料，品質(zhì)優(yōu)質(zhì)，歡迎選購。 |
| 技術(shù)參數(shù)
|
產(chǎn)品名稱: | GaN 厚度4.5um | GaN 厚度2um ，3um | 摻雜類型: | N /Si | P/Mg | 常規(guī)尺寸： | dia2" +/-0.25mm； | dia2" +/-0.25mm； | 電阻: | 2.5E-3ohm-cm | 2.0-5.0 | 載流子濃度： | 1E19/cc | / |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)規(guī)格：dia2″ |
| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋或單片盒包裝 |
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