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GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜
- 產(chǎn)品概述：
- 2英寸直徑、有機金屬化學氣相沉積法（MOCVD)沉積在未摻雜的GaAs （半絕緣）（100）晶向基片上的GaAs GaAs / AlGaAs薄膜
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜
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基底： | 砷化鎵取向： | （100） | 摻雜與絕緣： | 未摻雜，半絕緣 | 晶圓尺寸： | 2英寸直徑 | 電阻率： | 1x10^7ohm.cm | 拋光： | 單面拋光 | EPD： | ＜1x10^4 /cm^2 | 外延薄膜： | 第一層： | 薄膜厚度1.0um 晶格匹配： Al(0.25)Ga(0.75）As: (100) | 第二層（最上層）： | 頂層：GaAs膜厚130nm GaAS N型號摻Si | 背面： | 背面我們可以預期沉積，但是我們不能保證表面相同的質(zhì)量和粗糙度 |
摻雜元素 | 類型 | 載流子濃度( cm-3) | 流動性( cm2/V.Sec) | 電阻率( ohm-cm ) | EPD(cm-2) | 未摻雜 | N | 7.5-9.5 x1015 | 4300-4400 | 1.6E-1-4.5E-1 | <5000 | Sn | N | 0.5~1.0 x1018 0.5~1.0 x1018 | 200 ~ 2400 1500 ~ 2000 | 0.001~0.002 0.0025~0.007 | 3~5 x104 | Zn | P | 0.8~2.0 x1018 2.5~4.0 x1018 | 2500 ~ 3500 1300 ~ 1600 | 0.0025~0.006 | 1~3 x104 | Fe | 半絕緣 | N/A | 1550-1640 | (2.1-2.7)x107 | <5000 |
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