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Ta+SiO2+Si+Cu薄膜
產(chǎn)品概述：
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
Specifications

·         Cu <111> coated Si Wafer (4 inch size)

·         Thickness of highly oriented polycrystalline Cu <111> film: 400 nm

·         Thickness of Ta diffusion barrier: 20-50 nm

·         4 inch dia x0.525 mm thickness Si wafer (Prime Grade) with thermal oxide: 300 nm thk

·         P type, B doped, <100> orientation, SSP

·         Resistivities: 1-20 ohm-cm

·         Surface Roughness:   as grown , N/A

·         Package: One 1000 class clean room with 100 class plastic bag
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