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Al2O3+AlN薄膜
- 產(chǎn)品概述：
- AlN Epitxial范本saphhire提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。氮化鋁薄膜又是成本效益的方法，用來取代氮化鋁單晶襯底?？凭д嬲\歡迎您的垂詢！
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如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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氮化鋁(AlN)薄膜 |
| 產(chǎn)品簡介
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AlN Epitxial范本saphhire提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。氮化鋁薄膜又是成本效益的方法，用來取代氮化鋁單晶襯底?？凭д嬲\歡迎您的垂詢！
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| 技術(shù)參數(shù)
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藍寶石襯底取向： | c軸（0001)±1.0deg | 襯底： | Al2O3;SiC;GaN； | 薄膜厚度： | 10-5000nm | 導(dǎo)電類型： | 半絕緣型 | 位錯密度： | XRD FWHM of <0002><500arcsec； XRD FWHM of <10-12><1500arcsec; | 有效面積： | >80% |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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氮化鋁(藍寶石襯底)：dia2"±1mm x1500nm±10%，單拋； 注：可根據(jù)客戶需求定制特殊的方向和尺寸。
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室100級超凈袋 |
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