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InP晶體基片
產(chǎn)品概述:
InP非常適用于高頻器件,如高電子遷移率晶體管和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)等方面。InP基器件在毫米波、通訊、防撞系統(tǒng)、圖像傳感器等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用
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產(chǎn)品名稱

磷化銦(InP)晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):             

立方晶系                       

晶格常數(shù):

 a =5.4505 ?

摻雜:

None;Sn;S;Fe:Zn

密度:

4.81g/cm3

硬度:

3 Mohs

導(dǎo)電類型:

N;N;N;Si;P

折射率:

3.45

載流子濃度:

1-2x1016     1-3x1018
1-4x1018     .6-4x1018

位錯密度:

<5x104 cm-2

生長方法:

LEC

熔點:

1062℃

彈性模量:

7.1E11dyn  cm-2

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:             

<100>  <111>                   

常規(guī)尺寸:

2"x0.5mm  10x10x0.5mm

拋光情況:

單拋

表面粗糙度:

<15A

注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。

晶體缺陷

人工金屬單晶存在常見晶體缺陷,表面可能會有小黑點,微小氣泡等

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝

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