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第一組：前期在玻璃基底上鍍Si薄膜，功率為220W，10min。XRD測試發(fā)現(xiàn)在24°附近出現(xiàn)饅頭峰，查閱文獻得到，該峰型為非晶硅；且文獻中提及在600℃退火處理后非晶硅出現(xiàn)晶化的過程，逐漸呈現(xiàn)出多晶硅的峰型，因XRD故障未進行退火樣品測試。

實驗結(jié)果：進行膜厚測試，發(fā)現(xiàn)所鍍Si薄膜的膜厚跟所鍍時間不成正比關(guān)系。（膜厚儀進行多次校準(zhǔn)，且所鍍膜厚重復(fù)性較好），擬將厚度為20、40、160nm的樣品寄回客戶檢測，確定所鍍厚度及膜層峰型。

參考文獻：1、摘自《非晶硅薄膜的低溫快速晶化及其結(jié)構(gòu)分析》

2、摘自《基于射頻磁控濺射技術(shù)高容量硅負(fù)極薄膜材料可控制備研究》

特別聲明：

1. 以上所有實驗僅為初步探究，僅供參考。由于我們水平有限，錯誤疏漏之處歡迎指出，我們非常期待您的建議。

2. 歡迎您提出其他實驗思路，我們來驗證。

3. 以上實驗案例及數(shù)據(jù)只針對科晶設(shè)備，不具有普遍性。

4. 因為涉及保密問題，以上數(shù)據(jù)僅為部分?jǐn)?shù)據(jù)，歡迎老師與我們聯(lián)系，我們非常期待和您共同探討設(shè)備的應(yīng)用技術(shù)。