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基片清洗：

 Si 襯底會被氧化要使用 RCA化學(xué)法清洗，相對 GGG 襯底要更復(fù)雜。

 Si 基片的清洗流程如下：

1、去除表面的有機物，利用丙酮溶液清洗。先把基片切割成合適大小，以正面朝上放入倒入丙酮的燒杯中，丙酮不宜過多，能淹沒基片就行。之后將燒杯放入超聲波清洗器中清洗15分鐘。

2、將殘留的丙酮去除，利用無水乙醇清洗。將用丙酮清洗過的基片取出，用另一個燒杯倒入適量無水乙醇，同樣要注意把基片正面朝上放入超聲清洗15分鐘。

3、除去殘留的無水乙醇，利用去離子水清洗。將第二部清洗過的基片放入去離子水中，注意事項如上，超聲清洗 15 分鐘。

4、無機物清洗，利用去離子水，氨水，過氧化氫（5：1：1）配成溶液清洗。上一步清洗后的基片放入配好的溶液，80℃下清洗十分鐘。取出馬上用去離子水沖洗。

5、離子清洗，利用去離子水，過氧化氫，鹽酸（5：1：1）配成溶液清洗。基片正面朝上放入溶液，同樣80℃下清洗十分鐘。取出用去離子水沖洗。

6、除去氧化層，利用稀釋的氫氟酸清洗。在溶液中清洗約一分鐘，取出用去離子水清洗。最后用高壓氮氣吹干裝在基片臺上。

 GGG 基片則簡單得多，只需要用丙酮，無水乙醇，去離子水按順序清洗，注意事項和Si 基片清洗相同，都清洗15分鐘，最后吹干裝好可以了

內(nèi)容摘至《高性能YIG靶材及薄膜的制備與性能的研究》