走進科晶
About HF-Kejing
美國橡樹嶺國家實驗室（來源：維科網(wǎng)?新材料）
發(fā)布時間：2020-07-30
近日，美國橡樹嶺國家實驗室（Oak Ridge National Laboratory）的Ivan V. Vlassiouk博士聯(lián)合萊斯大學（Rice University）Boris I. Yakobson博士和新墨西哥州立大學（New Mexico State University）的Sergei N. Smirnov博士在Nature Materials 上發(fā)表文章，報道了他們在多晶襯底上生長“英尺級”連續(xù)單晶單層石墨烯薄膜的重大突破。他們采用一種化學氣相沉積（CVD）技術(shù)，借鑒單晶生產(chǎn)常見的提拉法（Czochralski process）的思路，基于“進化選擇（evolutionary selection）”生長法在多晶襯底上以2.5厘米/小時的速度生長大尺寸連續(xù)單晶單層石墨烯薄膜。其中一個實驗所制備的石墨烯薄膜，長度可達1英尺（約30厘米）。
在下圖實驗室中看到了科晶設(shè)備的身影：
Ivan Vlassiouk博士。圖片來源：ORNL
點擊查看詳情鏈接：https://xincailiao.ofweek.com/news/2018-04/ART-180422-8220-30225649.html
科晶公司擁有用于大面積、高質(zhì)量石墨烯及其他二維材料的規(guī)?；L的卷對卷石墨烯制備管式爐系統(tǒng)：
設(shè)備型號：OTF-1200X-II-PE-RR
（點擊圖片查看詳情）
Copyright © 2019 合肥科晶材料技術(shù)有限公司 版權(quán)所有 皖I(lǐng)CP備09007391號-1 
皖公網(wǎng)安備 34012302000974號
查看誠信檔案
